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(5)在高溫下將SiCl4在B和C兩種氣體的氣氛中,也能反應生成氮化硅,B和C兩種結合具體化學反應的特點以及生產技術和設備條件、能源消耗等,控制化學反應速率

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13、分割陶瓷基片的方法及分割設備 89、膠凍切割成型法生產高性能氧化鋁系陶瓷基片的生產工藝 90、多層陶瓷基板及其制造方法 151、用于氮化硅陶瓷及氮化硅陶瓷基復合