5、影響氧化速率的因素 (1) 溫度對氧化速率的影響: (2) 氧化氣氛對氧化速率的影響: (3) 氧化劑氣壓對氧化速率的影響: 當氧化劑氣壓變大時,氧化反應會被加速進行。 (4) 硅片表面晶
在線咨詢
詳解硅晶片的熱氧化工藝Si晶片在大氣中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜復蓋。Si和在其上產生的SiO2膜的密合性很強。在高溫下進行氧化,會產生厚而致密且穩定的膜。Si的熔點為1412℃
在線咨詢
(三)熱氧化工藝的(三)熱氧化工藝的DealDealGroveGrove模型模型CC:氧化劑濃度:氧化劑濃度氧化劑氧化劑由由氣相氣相傳輸傳輸SiOSiO22的表面的表面,其粒子
在線咨詢
水汽氧化之間。 ②常有的熱氧化工藝: a 方法:常采納干氧 濕氧 干氧交替氧化法。 b 工藝條件: 溫度:高溫(常有的為 1000℃1200 ℃)。 時間:一般總氧化時間超出 30 分鐘。 ② 氧化生長規律:
在線咨詢
《常見的熱氧化工藝》由會員分享,可在線閱讀,更多相關《常見的熱氧化工藝(2頁珍藏版)》請在人人文庫網上搜索。 溫馨提示: 1: 本站所有資源如無特殊說明,都需要
在線咨詢
常見的熱氧化工藝二.常見的各種氧化工藝熱氧化工藝熱生長氧化法將硅片置于高溫下,通以氧化的氣氛,使硅表面一薄層的硅轉變為二氧化硅的方法。①常見的熱氧化
在線咨詢
章章熱氧化工藝熱氧化工藝熱氧化工藝熱氧化工藝( (Thermal OxidationThermal Oxidation) ) 硅的熱氧化工藝硅的熱氧化工藝(Thermal Oxidation)(Thermal Oxidation)■
在線咨詢
1.1 退火工藝流程 1.2 退火工序內容 單晶硅退火工序包括退火工藝以及熱氧化工藝。 1.3 退火工藝簡介 退火是一種材料熱處理工藝,指的是將材料緩慢加熱到一定溫度,保持足夠時間,然后以
在線咨詢
