1. 反應燒結 反應燒結碳化硅的工藝流程首先是將碳源和碳化硅粉進行混合,經(jīng)注漿成型,干壓或冷等靜壓成型制備出坯體,然后進行滲硅反應,即在真空或惰性氣氛下將坯體加熱1500℃以上,

2.無壓燒結碳化硅 無壓燒結的優(yōu)點是:可以采用多種成形工藝制備各種形狀的制品,在適當添加劑的作用下可獲得較高的強度和韌性,其不足之處在于燒結溫度較高,得到的材料具有一定的氣孔

碳化硅燒結爐是一種間歇式電阻加熱爐,主要應用范圍為無壓碳化硅燒結、硬質合金、粉末冶金行業(yè)生產各種粒度的碳化鎢粉、碳化鉻粉、碳化鈦粉、碳化釩粉等金屬粉末及復合金屬粉末,冷

本文采用亞微米級碳化硅細粉,加入少量合適的燒結添加劑,用干壓成型及無壓燒結這兩個簡單易行的工藝制備出碳化硅陶瓷樣品,并研究了不同燒結溫度工藝下碳化硅陶瓷燒結體的密度。1

反應燒結反應燒結法制備碳化硅工藝是在碳化硅粉料中預混入適量含碳物質,利用高溫使碳與碳化硅粉料中殘余硅反應合成新的碳化硅,從而形成致密結構的碳化硅陶瓷。碳化硅坯體反應燒結

反應燒結碳化硅,又稱自結合碳化硅,是指多孔鋼坯與氣相或液相反應,提高鋼坯質量,減少氣孔,并以一定的強度和尺寸精度燒結成品的過程。將αSiC粉末與石墨按一定比例混合,加熱到1650℃

大型碳化硅冶煉爐的爐子功率一般為 10000kW, 每1kg SiC 電耗為 6~7kW·h,生產周期升溫時為 26~36h,冷卻 24h。 3. 合成工藝 (1) 配料計算: 式中,C 為碳含量,SiO2 為二氧化硅含

國內在山東有 數(shù)家廠家采用反應燒結制備 SiC 陶瓷,生產工藝成熟,產品性能穩(wěn)定 。 1.4 放電等離子燒結 放電等離子燒結是利用脈沖大電流直接施加于模具和 樣品上加熱,使被燒結樣品快 速升溫而進行

用SiC MOSFET代替硅器件,可以通過調整驅動級,提供更高的門通電壓,處理有時可能為負的柵極關電壓,

1、一種利用粉石英加工碳化硅重結晶燒結高純陶瓷磨料的方法2、重結晶碳化硅制品等靜壓成型工藝3、一種重結晶碳化硅材料及其制備方法4、重結晶碳化硅制品成型及